Память оперативная Samsung Electronics HMCG66MEBUA081N

8-гигабайтная оперативная память Hynix [HMCG66MEBUA081N] ориентирована на работу в составе стационарного компьютера начального или среднего уровня. Модуль соответствует типу DDR5. Тактовая частота устройства составляет 4800 МГц. Напряжение питания памяти стандартно для DDR5: величина этого показателя составляет 1.1 В. Модуль отличается низким энергопотреблением и минимальным тепловыделением. Радиатор конструкцией устройства не предусмотрен.
Оперативная память Hynix [HMCG66MEBUA081N] произведена с использованием зеленого текстолита. Внешний вид устройства наверняка придется по вкусу пользователям компьютерной техники со стажем. Компоновка чипов – односторонняя.