Память оперативная Samsung Electronics HMCG66MEBUA081N
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- РџРѕРТвЂВВВВВВВВелРСвЂВВВВВВВВться
- Р Р‡.МессенРТвЂВВВВВВВВжер
- ВКонтакте
- РћРТвЂВВВВВВВВнокласснРСвЂВВВВВВВВРєРСвЂВВВВВВВВ
- Telegram
- Viber
- РњРѕР№ Р В Р’В Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВВВВВВРЎР‚
- РЎРєРѕРїРСвЂВВВВВВВВровать ссылку
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
8-гигабайтная оперативная память Hynix [HMCG66MEBUA081N] ориентирована на работу в составе стационарного компьютера начального или среднего уровня. Модуль соответствует типу DDR5. Тактовая частота устройства составляет 4800 МГц. Напряжение питания памяти стандартно для DDR5: величина этого показателя составляет 1.1 В. Модуль отличается низким энергопотреблением и минимальным тепловыделением. Радиатор конструкцией устройства не предусмотрен.
Оперативная память Hynix [HMCG66MEBUA081N] произведена с использованием зеленого текстолита. Внешний вид устройства наверняка придется по вкусу пользователям компьютерной техники со стажем. Компоновка чипов – односторонняя.
Вес | 0.01 кг |
Производитель | Samsung Electronics |
Количество в упаковке (кратность) | 1 |
Объем в упаковке | 0.000245 м³ |
Габариты | 14 × 5 × 3.5 л |
Единица измерения | шт |
Форм-фактор памяти | DIMM |
Тип памяти | DDR5 |
Общий объем памяти (Гбайт) | 8 |
Объем одного модуля (Гбайт) | 8 |
Количество модулей в комплекте (шт.) | 1 |
Частота (МГц) | 4800 |
Пропускная способность | PC4-38400 |
CAS Latency (CL) | 40 |